概覽

　　- Automated Industrial AFM for High-Resolution 3D Metrology

　　- Park Systems推出革命性的XE-3DM全自動(dòng)原子力顯微鏡系統(tǒng)，專(zhuān)為垂懸輪廓、高分辨率側(cè)壁成像和臨界角的測(cè)量而設(shè)計(jì)。借助的XY軸和Z軸獨(dú)立掃描系統(tǒng)和傾斜式Z軸掃描器，XE-3DM成功克服精確側(cè)壁分析中的法向和喇叭形頭所帶來(lái)的挑戰(zhàn)。在True Non-Contact™模式下，XE-3DM可實(shí)現(xiàn)帶有高長(zhǎng)寬比的柔軟光刻膠的無(wú)損測(cè)量。

　　- Accuracy Like Never Before

　　- 隨著半導(dǎo)體越變?cè)叫?，設(shè)計(jì)如今需要做到納米級(jí)，但是傳統(tǒng)的測(cè)量工具無(wú)法滿(mǎn)足納米級(jí)的設(shè)計(jì)和制造所要求的精確度。面對(duì)這一行業(yè)測(cè)量所帶來(lái)的挑戰(zhàn)，Park Systems取得了眾多技術(shù)突破，如串?dāng)_消除(XE)，其可以實(shí)現(xiàn)無(wú)偽影和無(wú)損成像；全新的3D原子力顯微鏡，讓側(cè)壁和側(cè)凹特征的高分辨率成像成為可能。

　　- Throughput Like Never Before

　　- 受限于低通量，納米級(jí)設(shè)計(jì)無(wú)法用于生產(chǎn)質(zhì)量控制中，但原子力顯微鏡讓這一切成為可能。隨著Park Systems發(fā)布革命性的高通量解決方案，原子力顯微鏡也得以進(jìn)入自動(dòng)化線(xiàn)上制造領(lǐng)域。這其中包括創(chuàng)新的磁性探針更換功能，成功率高達(dá)99%，高于傳統(tǒng)的真空技術(shù)。此外，流程和通量?jī)?yōu)化需要每位客戶(hù)的積極配合，提供完整的原始數(shù)據(jù)。

　　- Cost-Effectiveness Like Never Before

　　- 納米測(cè)量的精確性和高通量需要搭配高成本效益的解決方案，才能夠從研究領(lǐng)域擴(kuò)展到實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用中。面對(duì)這一成本挑戰(zhàn)，Park Systems帶來(lái)了工業(yè)級(jí)的原子力顯微鏡解決方案，讓自動(dòng)化測(cè)量更快、更高效，讓探針更耐久！我們放棄了慢速又昂貴的掃描電子顯微鏡，轉(zhuǎn)而采用高效、自動(dòng)化且價(jià)格實(shí)惠的3D原子力顯微鏡，進(jìn)一步降低線(xiàn)上工業(yè)制造的測(cè)量成本?，F(xiàn)如今，制造商需要3D信息來(lái)表現(xiàn)溝槽輪廓和側(cè)壁變形異特征，從而準(zhǔn)確找到新設(shè)計(jì)中的缺陷。模塊化原子力顯微鏡平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了快速的軟硬件更換，使得升級(jí)更為劃算，從而不斷優(yōu)化復(fù)雜并且苛刻的生產(chǎn)質(zhì)量控制測(cè)量。此外，我們的原子力顯微鏡探針使用壽命延長(zhǎng)至少2倍，進(jìn)一步減少購(gòu)置成本。傳統(tǒng)的原子力顯微鏡采用輕敲式掃描，這讓探針更易磨損，而我們的True Non-Contact™模式能夠有效地保護(hù)探針，延長(zhǎng)其使用壽命。

　　n應(yīng)用

　　- High Resolution Access to Undercut and Sidewall

　　- CD Measurements of Undercut & Overhang

　　- XE-3DM的傾斜式Z軸掃描器設(shè)計(jì)讓探針能夠掃描到光刻膠的側(cè)壁和側(cè)凹結(jié)構(gòu)。

　　- 的XY軸和Z軸解耦掃描系統(tǒng)和傾斜式Z軸掃描器

　　- Z軸掃描器可在 -19到+19度和-38到+38度之間隨意擺動(dòng)

　　- 法向高長(zhǎng)寬比的探針帶來(lái)高分辨率成像

　　- XY軸掃描范圍可達(dá)100 μm x 100 μm

　　- 高強(qiáng)度Z軸掃描器帶來(lái)25 μm的Z軸掃描范圍

　　- Complete 3D Metrology of Sidewall

　　- High-Resolution Sidewall Roughness

　　- 借助超鋒利的探針，XE-3DM的傾斜式Z軸掃描器可接近側(cè)壁，帶來(lái)高分辨率的側(cè)壁粗糙度細(xì)節(jié)。

　　- 側(cè)壁粗糙度測(cè)量

　　- 精確的側(cè)壁角度測(cè)量

　　- 垂直側(cè)壁的臨界尺寸測(cè)量

　　- Non-destructive CD and Sidewall Measurements by True Non-Contact™ Mode

　　- CD Measurements of Photoresist Trench

　　- 的True Non-Contact模式能夠?qū)⒕€(xiàn)上無(wú)損測(cè)量小至45 nm的細(xì)節(jié)。

　　- 業(yè)內(nèi)最小的細(xì)節(jié)線(xiàn)上測(cè)量

　　- 柔軟光刻膠無(wú)損測(cè)量

　　- 探針磨損更少，讓高質(zhì)量和高分辨率成像效果更加持久

　　- 無(wú)需輕敲式成像中的參數(shù)依賴(lài)結(jié)果

　　n選配

　　- High-Throughput Inline Automation

　　- Automatic Tip Exchange (ATX)

　　- 借助自動(dòng)探針更換功能，自動(dòng)測(cè)量程序能夠做到無(wú)縫銜接。該系統(tǒng)會(huì)參考圖形測(cè)量數(shù)據(jù)，自動(dòng)校正懸臂的位置和優(yōu)化測(cè)量設(shè)定。創(chuàng)新的磁性探針更換功能，成功率高達(dá)99%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的真空技術(shù)。

　　- Automatic Wafer Handler (EFEM or FOUP)

　　- 您可以在XE-3DM中加裝自動(dòng)晶片裝卸器(EFEM或FOUP或其他)。高精度無(wú)損晶片裝卸機(jī)械臂能夠保證XE-3DM用戶(hù)享受到快速且穩(wěn)定的自動(dòng)化晶片測(cè)量服務(wù)。

　　- Ionization System

　　- XE-3DM可搭載離子化系統(tǒng)，能夠有效消除樣品的靜電電荷。并且系統(tǒng)隨時(shí)可生產(chǎn)位置正離子和負(fù)離子之間的理想平衡，從而可以穩(wěn)定地離子化帶電物體，且不會(huì)污染周邊區(qū)域。它也可以消除樣品處理過(guò)程中意外生成的靜電電荷。